品牌 | INFINEON/英飞凌 | 型号 | 回收此型号 |
封装形式 | QFP | 导电类型 | 其他 |
封装外形 | 扁平型 | 集成度 | 超大规模(>10000) |
外形尺寸 | 2.0*3mm | 加工定制 | 否 |
工作电源电压 | 220vV | 最大功率 | 450W |
工作温度 | 50℃ | 批号 | 2021 |
产地 | 中国 | 数量 | 28888 |
封装 | 高价回收库存电子 | 2785826739 | |
厂家 | 英飞凌 |
发展关键点2:封装工艺。由于功率半导体工作环境极端,对可靠性和寿命等要求较高,因此封装工艺同样是功率半导体的主要关注点。封装工艺主要从三种途径进行改进:①提高芯片面积与占用面积之比;②将封装的电阻和热阻减至最小;③将寄生电阻和电感减至最小。
以TOLL封装为例,它是一种高效节省空间的封装,具有极低的寄生电阻和强大的热性能,非常适合于高电流和高压应用。根据EEWORLD,TOLL 封装引线设计中润湿性侧翼,在汽车领域竞争力明显,是汽车应用中的常用技术。
车规级IGBT模块封装技术壁垒更高,封装质量及散热重要性突出。车规级IGBT 模块是功率半导体封装技术壁垒的产品之一。车规级封装是保障高温运行、高功率密度、高可靠性的关键因素,不仅仅涉及到芯片表面互连、贴片互连、端子引出、散热等关键技术工艺。
发展关键点3:材料迭代。功率半导体还专注于材料的迭代,现有第三代半导体材料可有效提升原有硅基材料的性能,突破原有器件性能天花板。以SiC、GaN 等第三代半导体材料为基础的功率半导体可在更高频、更高压的环境下工作,性能上超过原有Si基IGBT 和Si基MOSFET,且原有的成本问题也不断得到了优化。
这些变化的一个影响是使芯片工厂变得更有价值,包括一些由晶圆代工厂拥有的旧工厂。这是因为新的制造工艺已经变得如此昂贵,一些芯片设计师没有转移到的工厂来生产他们的产品。其结果是,5至10年历史的廉价生产线出现了需求的一线生机。因此,一些晶圆代工厂开始进行重大战略转变,将更多资金投入较老的生产技术。台积电最近表示,它将在日本建造这样一座工厂。代工业务的主要竞争对手三星电子也表示,正在考虑建立一家新的“传统”工厂。但这些投资需要数年时间才能获得回报。它们也不会解决影响微控制器等芯片的问题,而微控制器是供应链受到挤压的一个缩影。微控制器将计算能力与存储程序和数据的内置内存相结合,通常还会添加一些只来自专门工厂的功能。从汽车的刹车和引擎系统到安全摄像头、信用卡、电动滑板车和无人机,应用程序的数量正在飙升“我们去年一年的微控制器销量可能超过过去10年。”位于休斯顿的芯片商Smith的官马克·巴恩希尔(Marc Barnhill)表示。在这场动荡中,设计或使用芯片的公司采取了新的应对策略。咨询公司凯捷(Capgemini)负责这一业务的全球副总裁希夫·塔斯克(Shiv Tasker)说,一些设计师正在调整他们的产品,以便在产能更大的不同工厂生产。曾经根据价格和性能购买芯片的客户也更多地考虑了可用性。以新亮智能(BrightAI)为例,这家初创企业正在开发设备和软件,帮助企业将设备和其他设备连接到互联网上。该公司联合创始人亚历克斯·霍金森(Alex Hawkinson)表示,为了适应不同的芯片,公司在六个月内对一块电路板进行了四次重新设计。像汽车制造商这样的大型芯片用户已经开始与制造商直接对话,而不是遵循通过分包商合作的典型做法。
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