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硅Si雪崩光电二极管 905nm 光敏面直径0.5mm 封装TO46图1硅Si雪崩光电二极管 905nm 光敏面直径0.5mm 封装TO46图2硅Si雪崩光电二极管 905nm 光敏面直径0.5mm 封装TO46图3硅Si雪崩光电二极管 905nm 光敏面直径0.5mm 封装TO46图4硅Si雪崩光电二极管 905nm 光敏面直径0.5mm 封装TO46图5硅Si雪崩光电二极管 905nm 光敏面直径0.5mm 封装TO46图6

硅Si雪崩光电二极管 905nm 光敏面直径0.5mm 封装TO46

2023-05-16 14:492410询价
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品牌 筱晓光子
型号 APD-SI-905-0.5-TO46
库存 999起订1件  
产品详情
品牌

筱晓光子

型号

APD-SI-905-0.5-TO46

半导体材料

光谱响应范围

400-1100nm

峰值响应波长

905nm

光敏面直径

0.5mm

封装

TO46

响应时间

0.6ns

  总览

  硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。

  产品特点:

  正照平面型芯片结构

  高速响应

  高增益

  低结电容

  低噪声

  产品应用:

  激光测距

  激光雷达

  激光警告

  技术参数:

  光电性能(@Ta=22±3℃)

  产品型号

  典型特性曲线

  封装外形、尺寸及引脚定义

  APD-SI-2-2/5/8-TO46(三脚和两脚封装)

  APD-SI-2-2/5-LCC3

  等效电路及应用电路

  注:C 1 -滤波电容,滤除偏置工作电压 V R 的噪声。

  C 2 -旁路电容,为交流信号提供对地回路。

  R 1 -限流电阻,防止偏置工作电压 V R 过高时,损坏探测器。

  R i -取样电阻,将光电流转化为电压信号。

  定购信息:

  型号规则

  【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】

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筱晓光子技术有限公司

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