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铟镓砷InGaAs光电二极管探测器 2.2um扩展型 封装TO-5图1铟镓砷InGaAs光电二极管探测器 2.2um扩展型 封装TO-5图2铟镓砷InGaAs光电二极管探测器 2.2um扩展型 封装TO-5图3铟镓砷InGaAs光电二极管探测器 2.2um扩展型 封装TO-5图4铟镓砷InGaAs光电二极管探测器 2.2um扩展型 封装TO-5图5铟镓砷InGaAs光电二极管探测器 2.2um扩展型 封装TO-5图6

铟镓砷InGaAs光电二极管探测器 2.2um扩展型 封装TO-5

2023-05-10 12:242180询价
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品牌 筱晓光子
型号 GAP3000/2.2
库存 999起订1件  
产品详情
品牌

筱晓光子

型号

GAP3000/2.2

半导体材料

InGaAs

波长

2.0 ± 0.1um

截止波长

2.2 ± 0.1um

响应度

0.9/1.0A/W

有效直径

3mm

封装

TO-5


  总览

  2.2um扩展型InGaAs光电二极管响应截止波长达到2.2um,提供了出色的分流电阻,并在带宽范围内具有出色的响应度。

  铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.2,铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.2技术参数

  产品特点:

  有效直径2mm,3 mm可选

  扩展的截止波长2.2μm

  高分流电阻

  封装形式TO-5

  产品应用:

  气体检测

  碳氢化合物传感

  红外光谱

  光谱学

  SWIR光电探测

  技术参数:

  电学参数@ 23 oC ± 2 oC

  参数

  

  GAP2000/2.2

  

  GAP3000/2.2

  

  单位

  

  有效直径

  

  2

  

  3

  

  mm

  

  峰值波长(典型)

  

  2.0 ± 0.1

  

  2.0 ± 0.1

  

  um

  

  截止波长 (50%)

  

  2.2 ± 0.1

  

  2.2 ± 0.1

  

  μm

  

  响应度@ λP(min/typ)

  

  0.9/1.0

  

  0.9/1.0

  

  A/W

  

  分流电阻 (min/typ)

  

  6k/10k

  

  2k/6k

  

  Ω

  

  暗电流(max)

  

  40 @ 1 V

  

  100 @ 1 V

  

  μA

  

  电容 (typ) @ 0 V

  

  4000

  

  8000

  

  pF

  

  带宽 w/ 50 ? @ 0 V (typ)

  

  0.795

  

  0.397

  

  MHz

  

  上升时间 w/ 50 ? @ 0 V (typ)

  

  440

  

  881

  

  ns

  

  NEP @ λPEAK (typ)

  

  128 x 10-14

  

  287 x 10-14

  

  W/Hz1/2

  

  线性度 (± 0.2 dB @ 0 V)

  

  6

  

  6

  

  dBm

  

  封装

  

  TO-5

  

  TO-5

  

  

  参数

  参数

  

  GAP2000/2.2

  

  GAP3000/2.2

  

  单位

  

  存储温度

  

  -40 to 125

  

  -40 to 125

  

  ℃

  

  工作温度

  

  -40 to 85

  

  -40 to 85

  

  ℃

  

  反向电压

  

  1

  

  1

  

  V

  

  反向电流

  

  10

  

  10

  

  mA

  

  正向电流

  

  10

  

  10

  

  mA

  

  功耗

  

  50

  

  50

  

  mW

  

  波长响应曲线



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