品牌 | IXYS/艾赛斯 | 型号 | VBO13-12NO2 |
半导体材料 | 硅Si | 封装方式 | 金属封装 |
正向电压降 | 1200V | 击穿电压 | 1200V |
最大反向工作电压 | 详询v | 额定整流电流 | 详询A |
最大反向漏电流 | 详询A | 外形尺寸 | 详询 |
功耗 | 详询 | 产地 | 德国 |
厂家 | 艾赛斯/IXYS | 封装 | 标准封装 |
批号 | 22+ | 工作环境 | 室内式 |
工作温度 | -25 +140 | 数量 | 500 |
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VBO13-12NO2 单相整流桥 单向可控硅 功率半导体 艾赛斯 库存充足 诚信供应
产品型号 | VBO13-12NO2 |
制造商编号 | 3438475 |
描述 | IXYS - VBO13-12NO2 - Diode Module, 1.2 kV 13A, Dual Series |
Product Range | -
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Forward Current If | 13A
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Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max | 1.2
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Forward Voltage VF Max
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