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SKM200GB125D IGBT模块 大功率可控硅 西门康 数量充足图1SKM200GB125D IGBT模块 大功率可控硅 西门康 数量充足图2SKM200GB125D IGBT模块 大功率可控硅 西门康 数量充足图3SKM200GB125D IGBT模块 大功率可控硅 西门康 数量充足图4SKM200GB125D IGBT模块 大功率可控硅 西门康 数量充足图5SKM200GB125D IGBT模块 大功率可控硅 西门康 数量充足图6SKM200GB125D IGBT模块 大功率可控硅 西门康 数量充足图7

SKM200GB125D IGBT模块 大功率可控硅 西门康 数量充足

2023-05-10 12:17660已售
价格 100.00
发货 全国付款后3天内  
品牌 上海萱鸿电子
型号 SKM200GB125D
库存 999起订1件  
产品详情
品牌

上海萱鸿电子

型号

SKM200GB125D

半导体材料

其他

管脚引出方式

其他

内部结构

其他

封装方式

塑料封装

正向电压降

1200V

最大反向工作电压

1200V

击穿电压

1200V

额定整流电流

200A

最大反向漏电流

200A

外形尺寸

详询

功耗

详询

产地

德国

厂家

西门康

  德国SEMIKRON西门康二极管模块- PN结形成原理:P型半导体是在本征半导体(一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体)掺入少量三价元素杂质,如硼等。

  因硼原子只有三个价电子,它与周围的硅原子形成共价键,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位,使硼原子成了不能移动的负离子,而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。

  N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子,如磷等。掺入后,它与硅原子形成共价键,产生了自由电子。在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。

  因此,在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素,便形成了P型区和N型区,根据N型半导体和P型半导体的特性,可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异,电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散,它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。

  二极管有点接触型和面接触型两种结构形式

  点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和一块半导体(如锗)的表面接触,然后在正方向通过很大的瞬时电流,使触丝和半导体牢固地熔接在一起,三价金属与锗结合构成PN结,并做出相应的电极引线,外加管壳密封而成,如图 2.7所示。由于点接触型二极管金属丝很细, 形成的PN结面积很小, 所以,也不能承受高的反向电压和大的电流。这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件, 也可用来作小电流整流。 如2APl是点接触型锗二极管, 整流电流为16mA, 工作频率为15OMHz。

  面接触型或称面结型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的。由于这种二极管的PN结面积大,可承受较大的电流,但极间电容也大。这类器件适用于整流,而不宜用于高频电路中。如2CPl为面接触型硅二极管,整流电流为40OmA, 工作频率只有3kHz。


  【上海萱鸿电子科技有限公司】

  上海萱鸿电子科技有限公司,的IGBT以及配套驱动网上供应商,公司自成立以来就一直推广IGBT以配套驱动,传咸器产品.公司和国际半导体企业:德国Infineon、Semikron、瑞士Concept,以及日本Fuji、Mitsubishi等国际品牌有着良好的合作关系。经过公司努力发展已成为国内外化、规模化的半导体产品供应商。客户群体不断扩展,产品主要应用在:变频器、逆变焊机、高频感应加热、UPS电源、逆变电源、商用电磁炉等领域。公司建立了自己的库房用以储备足够的库存,旨在为客户提供最快捷的供货渠道。我们公司本着诚信至上,客户至上,合作至上,服务至上,质量至上的理念,得到了众多合作客户的信任与好评。

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