型号 | 3535 | 产地 | 深圳 |
封装 | 玻璃封装 | 批号 | 20200713 |
1301121901 | 加工定制 | 是 | |
功率 | 0.03-0.08w | 电压 | 6-7V |
输入电流 | 0.06A | 厂家 | 鑫业新光电 |
深圳市鑫业新光电有限公司拥有80多项技术专利,每一项新产品在投放市场前都要经过严格检验和综合测试, 产品的可靠性,实用性,经济性都由的实验室来测定估。
为了进一步提高紫外LED的外部量子效率,“21世纪照明工程”将采用对使用于LED的蓝宝石底板的表面进行加工的方法。将该表面加工成线条状后,形成GaN类半导体。通过这项技术,可以将降低外部量子效率的主要原因--结晶缺陷降低到原产品的约1/3(1.5× 108cm-2),外部量子效率提高至2.5倍。同时,蓝宝石底板的加工费不会太高。“虽然底板成本多少有些提高,但是生产LED的生产能力不会降低。LED芯片的生产成本将会与基本持平”。
封装材料方面,如果要以白色LED的量产为目标的话,就需要使用容易进行封装的树脂材料。一般情况下,环氧树脂之所以在400nm左右的紫外光中出现性能恶化,是因为树脂中的苯环双重结构被紫外光所激励,加速了树脂的氧化过程。
为了解决LED因紫外光而出现的性能恶化现象,在封装过程中采用了不使用树脂材料的方法。通过将LED芯片装入金属封装内,不使用任何封装材料直接用金属盖封住。这种方法此前该公司一直在GaN类蓝紫色半导体激光器中采用。由于此前作为封装材料使用的环氧类树脂材料在紫外光的作用下,容易出现树脂性能恶化的现象,导致透明性降低,从而使得LED亮度也随之降低。
在国家863计划支持下,课题研究团队集中开展了基于MOCVD的深紫外LED材料和器件研究工作,着重解决材料存在的表面裂纹、晶体质量差、铝组分低、无法实现短波长发光和结构材料设计等问题,在一些关键技术方面取得了突破,获得了高结晶质量无裂纹的高铝组分材料。在此基础上,课题在国内成功制备了300nm以下的深紫外LED器件,实现了器件的毫瓦级功率输出,开发了深紫外杀菌模块,经测试杀菌率达到95%以上。
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