型号 | 3535 | 产地 | 深圳 |
封装 | 玻璃封装 | 批号 | 20200713 |
1301121901 | 加工定制 | 是 | |
功率 | 0.03-0.08w | 电压 | 6-7V |
输入电流 | 0.06A | 厂家 | 鑫业新光电 |
深圳市鑫业新光电有限公司成立于2010年,公司是一家集UVC紫外灯、LED封装及应用产品的研发、生产和销售于一体的公司。产品制造过程采用净化,抗静电的国际标准设施封闭作业并且通过ISO9001质量管理体系认证。拥有业内的ASM全自动固晶、全自动焊线设备及全自动封胶设备,产品检测选用台湾多功能电脑自动分光分色设备处理。
为了进一步提高紫外LED的外部量子效率,“21世纪照明工程”将采用对使用于LED的蓝宝石底板的表面进行加工的方法。将该表面加工成线条状后,形成GaN类半导体。通过这项技术,可以将降低外部量子效率的主要原因--结晶缺陷降低到原产品的约1/3(1.5× 108cm-2),外部量子效率提高至2.5倍。同时,蓝宝石底板的加工费不会太高。“虽然底板成本多少有些提高,但是生产LED的生产能力不会降低。LED芯片的生产成本将会与基本持平”。
为了解决LED因紫外光而出现的性能恶化现象,在封装过程中采用了不使用树脂材料的方法。通过将LED芯片装入金属封装内,不使用任何封装材料直接用金属盖封住。这种方法此前该公司一直在GaN类蓝紫色半导体激光器中采用。由于此前作为封装材料使用的环氧类树脂材料在紫外光的作用下,容易出现树脂性能恶化的现象,导致透明性降低,从而使得LED亮度也随之降低。
还有一个不可忽视的特点。那就是将紫外 LED发光波长设定为380nm。在波长为405nm的产品中,已经存在具有更高输出功率的紫外LED。
21世纪照明工程正在开发的GaN类LED构造。要想提高LED的外部量子效率,减少LED中的结晶缺陷是关键。与不加工蓝宝石底板的普通方法相比,LEPS技术(在沿(11—20)或(1—100)方面加工出道的蓝宝石底板上形成GaN类LED的技术)可以减少约1/3的结晶缺陷。
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