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PECVD化学气相沉积系统 单晶生长炉 石墨烯薄膜制备炉图1PECVD化学气相沉积系统 单晶生长炉 石墨烯薄膜制备炉图2

PECVD化学气相沉积系统 单晶生长炉 石墨烯薄膜制备炉

2023-08-25 12:471750已售
价格 1688.00
发货 全国付款后3天内  
品牌 MICRO-X
型号 MXG1200-PECVD
库存 999起订1件  
产品详情

品牌:MICRO-X

型号:MXG1200-PECVD

类型:化学气相沉积装置

用途:化学气相沉积

适用领域:科研

外形尺寸:1250*860*1500mm

重量:330kg


MXGH1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统

产品简介:此款设备配有Plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置,可准确的控制反应腔体内部的气体压力,带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用,工艺重复性好,对于石墨烯生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

主要功能和特点:

1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相;

2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量;

3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率;

4、能广泛用于:石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。

 

 

滑轨管式炉技术参数

 

 

 

石英管尺寸

L1400mm  Φ(60、80、100)

加热元件

掺钼铁铬铝合金电阻丝

测温元件

K型热电偶

加热区长度

410mm  

恒温区长度

200mm

工作温度

≤1100℃

控温模式

模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能

控温精度

±1℃

升温速率

≤20℃/min

电功率

AC220V/50HZ/3KW

质量供气系统技术参数

 

 

 

 

 

外形尺寸

600x600x600mm

标准量程

50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2);

压力表测量范围

-0.1Mpa~0.15Mpa

极限压力

3MPa

针阀

316不锈钢

截止阀

Φ6mm 316不锈钢针阀

电功率

AC220V/50HZ/20W

响应时间

气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec

准确度

±1.5%

线性

±0.5~1.5%

重复精度

±0.2%

接口

Φ6,1/4''

真空系统技术参数

 

 

 

 

 

外型尺寸

600×600×600mm

工作电电压

220V±10%  50~60HZ

功率

400W

抽气速率

4L\s

极限真空

4X10-2Pa

实验真空度

1.0X10-1Pa

容油量

1.1L

进气口口径

KF25

排气口口径

KF25

转速

1450rpm

射频电源

 

信号频率

13.56 MHz±0.005%

功率输出范围

3W-300W   5W-500W可选

最大反射功率

200W

射频输出接口

50 Ω, N-type, female

功率稳定度

±0.1%

谐波分量

≤-50dbc

供电电压

单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ

整机效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷却方式

强制风冷

 

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